一种传导冷却超导磁体的两级G-M制冷机导冷结构
专利名称: 一种传导冷却超导磁体的两级G-M制冷机导冷结构
专利类别: 发明
申请号:
申请日期: 2021.07.14
专利号: 202110797444.2
第一发明人: 刘辉 王晖 陈顺中 孙万硕 孙金水 王秋良
其它发明人:
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国外申请方式:
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实施情况:
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专利摘要:
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