GaN HEMT器件过流保护电路
专利名称: GaN HEMT器件过流保护电路
专利类别: 发明
申请号:
申请日期: 2021/12/22
专利号: 202111580276.8
第一发明人: 曹国恩、王一波、由弘扬、王环
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: