一种高场高均匀度超导磁体失超保护电路
专利名称: 一种高场高均匀度超导磁体失超保护电路
专利类别: 发明
申请号:
申请日期: 2021/12/15
专利号: 202111535835.3
第一发明人: 陈顺中 王耀辉 孙万硕 孙金水 程军胜 王秋良
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: