SiC MOSFET与GaN HEMT低温特性测试及对比分析
论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目: SiC MOSFET与GaN HEMT低温特性测试及对比分析
论文题目英文:
作者: 田晨雨,郭文勇,赵闯,桑文举,于苏杭
论文出处:
刊物名称: 低温与超导
年: 2022
卷:
期:
页:
联系作者:
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: