Si-IGBT/SiC-MOSFET 混合并联开关损耗的驱动延时优化
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论文题目: Si-IGBT/SiC-MOSFET 混合并联开关损耗的驱动延时优化
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作者: 袁帅涛、高范强、李子欣、赵聪、张烨、李耀华
论文出处:
刊物名称: ACCES-2024
年: 2024
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