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12月25日上午，中科院半导体所骆军委研究员应高功率密度电气驱动及电动汽车技术研究部邀请参加我所《科技前沿论坛》报告会，就逆向设计信息功能硅材料和材料基因组工程与我所师生进行了深入交流。报告会由宁圃奇研究员主持。 骆军委研究员任职于中科院半导体研究所。主要从事光电信息功能材料和新能源材料的设计和器件性能预测的研究，在半导体自旋轨道耦合效应、低维量子结构光电效应和量子力学器件模拟方法等前沿领域取得了一系列创新性研究成果。 报告中，骆军委研究员介绍了所属研究团队通过材料基因组工程方法在高效发光的直接带隙硅锗超晶格设计及量子自旋计算所需单能级系统设计方面取得的最新进展。通过基因遗传算法逆向设计直接带隙硅锗超晶格，和硅锗核-多壳量子线，发光效率达到III-V族发光效率的10%，为实现CMOS技术兼容的硅基光源提供了配方，有望早日实现光电子集成电路。利用材料基因组工程方法，逆向设计了自旋计算所需的单能级系统，有助于解决硅材料自旋极化弛豫现象，克服硅量子器件长自旋寿命的这一大障碍。 报告结束后，骆军委研究员就自旋电子器件的发展现状、量子计算研究进展等问题与在座人员进行了探讨。此次报告使我所师生对材料基因组工程方法有了初步了解，对科研工作的方法和思路也有所启迪。 |
